Кафедра фізики напівпровідників була створена у 1963 році під керівництвом професора Д.В. Чепура, який керував кафедрою до 1983 року. З 1983 року по 2004 рік кафедру очолював професор В.Ю. Сливка, а з 2004 року кафедрою керує член-кореспондент НАН України, професор Ю.М. Височанський.

У 1972 році при кафедрі була заснована Проблемна науково-дослідна лабораторія синтезу і комплексних досліджень властивостей нових напівпровідників складної сполуки, на її основі в 1992 році наказом Міністерства вищої освіти України створений Науково-дослідний інститут фізики і хімії твердого тіла.

Зараз кафедра фізики напівпровідників разом з НДІ ФХТТ є визнаним у країні і світі науковим центром; працює аспірантура і докторантура. Понад 100 випускників кафедри захистили кандидатські, а 29 - докторські дисертації в галузі фізики напівпровідників і діелектриків, фізики твердого тіла, оптики. Члени кафедри є лауреатами трьох Державних премій України в галузі науки і техніки.

На кафедрі фізики напівпровідників фахівці готуються із двох спеціальностей: "Фізика" (фізик-викладач, фізик-інженер), "Фізична і біомедична електроніка" (інженер електронної техніки). Розпочинається підготовка бакалаврів за напрямком "Мікроелектроніка та наноелектроніка".

Співробітники. Всього на кафедрі працює 26 співробітників: з них 14 викладачів і 12 навчально-допоміжних співробітників.

Перелік вчених звань співробітників – 5 професорів, 9 доцентів.

Перелік наукових ступенів співробітників - 4 докторів наук, 10 кандидатів наук.

Перелік та кількість фундаментальних дисциплін та спеціалізованих курсів. Кількість курсів, що читають співробіники кафедри – 33. З них 13 основних курсів та 20 спеціалізованих курсів

Основні курси:

1. Загальна фізика.
2. Фізика твердого тіла.
3. Матеріали електронної техніки.
4. Метрологія.
5. Основи електричних вимірювань.
6. Мікросхемотехніка.
7. Цифрова схемотехніка.
8. Фізичні основи сенсорики.
9. Основи інформаційної і вимірної техніки.
10. Аналогова схемотехніка.
11. Мікропроцесорна техніка.
12. Функціональна електроніка.
13. Інтелектуальна власність.

1. Фізика напівпровідників.
2. Методи визначення параметрів напівпровідників.
3. Нерівноважні процеси в напівпровідниках.
4. Світлочутливі матеріали та фізичні основи оптичної та фотоелектричної реєстрації інформації.
5. Фізика і технологія інтегральної оптики.
6. Напівпровідникова оптоелектроніка.
7. Фізика квантово-розмірних структур.
8. Активні діелектрики.
9. Автоматизація фізичного експерименту.
10. Молекулярна електроніка.
11. Наукова творчість і патентознавство.
12. Проектування електронних пристроїв.
13. Наноелектроніка.
14. Фізичні основи оптичного запису інформації.
15. Молекулярні явища на межі двох середовищ.
16. Основні характеристичні параметри напівпровідників та методи їх визначення.
17. Напівпровідникові прилади.
18. Основи фізики неупорядкованих систем.
19. Методологія створення інтелектуального продукту та його захист.
20. Квантові ефекти в наноструктурах.

1. Блецкан Д.І., Борець О.М., Довгошей М.І., Кікінеші О.О., Семак Д.Г., Сливка В.Ю., Туряниця І.Д., Туряниця І.І., Фірцак Ю.Ю., Хімінець В.В. "Розробка і створення матеріалів і елементів лазерної техніки та оптоелектроніки на основі складних халькогенідів." 1989 р.
2. Височанський Ю.М., Переш Є.Ю., Ворошилов Ю.В., Гурзан М.І., Олексіюк І.Д., Головей М.І. "Хімія, технологія і властивості складних халькогенних матеріалів". 2000 р.
3. Берча Д.М., Сливка В.Ю., Ковалюк З.Д., Моцний Ф.В., Яремко А.М., Косевич А.М., Товстюк К.Д., Стахіра Й.М., Кошкін В.М. "Нові фізичні ефекти в сильно анізотропних напівпровідниках і прилади на їх основі". 2001 р.

Науково-дослідна робота на кафедрі ведеться за такими основними напрямками: теоретичні дослідження електронних та фононних спектрів складних багатокомпонентних кристалів, зокрема, шаруватих та ланцюжкових, а також гетероструктур (доц. Хархаліс Л.Ю., доц. Глухов К.Є.); комп'ютерне моделювання та експериментальні дослідження фазових переходів і критичних явищ в сегнетоелектричних, сегнетоеластичних та суперіонних гало- та халькогенідних кристалах, включаючи спектроскопію комбінаційного розсіювання світла, прецизійні вимірювання температурних залежностей кристалооптичних та термодинамічних параметрів, а також вивчення їх оптичних, електрофізичних, п'єзо- та піроелектричних, нелінійно-оптичних, фоторефрактивних та інших властивостей, що визначають можливості 'їх застосування (член-кор. НАНУ, проф. Ю.М. Височанський, проф. О.О. Грабар);

вивчення впливу стану поверхні твердого тіла на його параметри, пошук нових ефективних термоелектричних матеріалів (проф. Ю.В. Попик, доц. В.М. Жихарев); розробка технологічних методів одержання та контролю параметрів якісних монокристалів сапфіру великих розмірів, дослідження бінарних та потрійних халькогенідів з низьким ступенем розупорядкування (проф. Д.І. Блецкан); вивчення умов одержання та властивостей склоподібних і аморфних халькогенідних матеріалів та їх фотоструктурних змін з метою створення на їх основі нових активних середовищ для систем запису оптичної інформації та функціональних елементів (доц. Шпак І.І.) дослідження пружних, оптичних, акустооптичних та електрофізичних параметрів халькогенідних стекол, застосовуваних в якості матеріалів оптоелектроніки видимого та інфрачервоного діапазонів спектру (проф. А.А. Горват).

Перспективи розвитку кафедри.

Розвиток наукового та методичного забезпечення для напрямку підготовки бакалаврів "Мікроелектроніка та наноелектроніка". Розвиток наукової бази для підготовки магістрів по спеціальностях "Фізика", "Мікроелектроніка та наноелектроніка". Проведення наукових досліджень з актуальних проблем фізики напівпровідників, сегнетоелектриків, халькогенідних плівок, стекол, керамік, композитів та нанорозмірних структур.